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半導(dǎo)體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于 C/C的石墨化燒結(jié)處理。復(fù)合材料具有優(yōu)異的綜合性能，特別適于高溫領(lǐng)域，如航空、航天等方面。典型應(yīng)用為飛機的渦輪 、剎車盤、活塞、機翼前緣、鼻錐等。
選項：
進料方式：1、底裝料
2、上裝料
3、水平進料
加熱原理：
電阻加熱
感應(yīng)加熱
目前該設(shè)備已形成2500℃～3000℃系列化產(chǎn)品，可根據(jù)客戶實際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.dv4me.com
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